飛行時間二次離子質(zhì)譜法
Time of Flight Secondary Ion MassSpectrometry :TOF-SIMS
原理
超真空環(huán)境下向樣品射入1次離子束,從樣品的淺表層(1~3nm)釋放出2次離子。將2次離子導(dǎo)入飛行時間(TOF型)質(zhì)譜儀,就可以獲得樣品表層的質(zhì)譜。此時,再通過調(diào)低1次離子的照射量,檢測保留了表面成分化學(xué)結(jié)構(gòu)的分子離子和部分碎片離子,就可以獲取表層的元素構(gòu)成和化學(xué)結(jié)構(gòu)的信息。
飛行時間(TOF型)質(zhì)譜儀
由于脈沖后1次離子的照射而產(chǎn)生的2次離子在一定能量下被加速,根據(jù)質(zhì)量不同以不同速度(輕離子高速,重離子低速)進入質(zhì)譜儀。達(dá)到檢測器的時間(飛行時間)與質(zhì)量有著函數(shù)關(guān)系,通過精密測定此飛行時間的分布可以獲取質(zhì)譜。
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